工作台模式

双工位曝光

平均速度

240 片/小时（曝光时间不高于 11 秒的速度）

套刻精度

±1um

晶圆尺寸范围

4-6 寸(根据客户情况定制合适的尺寸)

找平机构

全自动三点式微力找平

设备电压

AC   220V 50HZ

设备气源要求

正压大于 0.5Mpa，负压大于 55KPa

设备最大功率

6.5KW

曝光灯波长

365nm（可定制 365/405/420/435nm）

曝光灯最大光功率

40mW/平方厘米

曝光灯平行半角

1.5 度

曝光灯均匀性

>= 97%

曝光灯光偏角

<=0.5 度

曝光方式

接触式/接近式

分辨率

接触式 2um，接近式曝光间隙 20um（分辨率 3.0um）

视觉识别精度

0.4um

设备 NG 率

不大于 5%

升降平台重复精度

±1um

UVW 平台重复精度

±1um

设备尺寸

长 X 宽 X 高= 1900mm X 1283mm X 2252mm（不带报警灯 2100mm， 拆掉 FFU 和报警灯 1990mm）

设备重量

980Kg

硅片厚度范围

0.1mm 到 1mm（超过这个范围理论上没问题，只是没有验证过）

硅片厚度公差范 围

±10um

硅片上的凸起

不超过曝光间隙+30um 。（过高的凸起会触发菲林保护机制导致 NG)

Mark 点残缺率

mark 点残缺不超过 15%不会影响精度，残缺率不超过 30%会影响精度但 是不 NG

Mark 点视觉效果

尽量做到一致

设备使用环境

尽量在恒温车间使用，温度过高会导致硅片黏在菲林上从而出现 NG

硅片存放

存放要求尽量恒温恒湿避免光线，错误的存放方式会导致光刻胶变粘稠 或者光刻胶提前曝光

其他常见注意事 项

不同批次不同工艺硅片不能混装。对于光学敏感的硅片一旦拿出来尽量 不停机做完，避免出现放久了光学特性改变的情况

1

供电

220V 交流 50Hz（必须良好接地） ，6.5KW 功率

2

正压气源

正压大于 0.5Mpa,流量大于 30L/min ，6mm 直径的 PU 气管

3

负压气源

负压大于 55KPa，流量大于 250L/min ，10mm 直径的 PU 气管

4

地面强度

大于 750Kgf/㎡（由于设备重量分配不均匀，最重的区域会达到 750Kgf/ ㎡）

5

安装空间

长 X 宽 X 高= 3.3 米  X 2.2 米  X 2.3 米（设备门打开后的占地面积，走 道留多宽由使用方自行决定）

6

网络

最好提供无线网，实在不行提供有线网 。方便设备调试和售后

1

设备主体

1 台

2

冷水机

1 台

特域 CW5200TI

3

专用花篮

5 个

4

硅胶真空吸头

2 个

5

光刻专用光源

2 个

6 寸高性能平行光源

1

丝杆导轨润滑油

80g

2

缓冲硅胶

1 板

耗材，一板 50 个，1 年用 20 个，一板的保质期 1 年

3

真空过滤器

15 个

40 万片或者半年换一次

4

FFU 空气过滤器 滤芯

1 个

根据客户自己要求更换