产品描述：
适用于，ESD器件，可控硅，平面MOS等等器件芯片的光刻
应用领域：
广泛应用于半导体、封装、LED、分立器件、5G通讯、新型光学器件、MEMS、FPC、化合物半导体、基板、功率器件等行业。在这些领域中，它发挥着制造高精度、高复杂度电路图形的重要作用。
设备主要参数
设备型号 | MA-II-2D6U05 |
工作台模式 | 双工位曝光 |
平均速度 | 200 片/小时（曝光时间不高于 11 秒的速度） |
套刻精度 | ±0.5um |
晶圆尺寸范围 | 6 寸(根据客户情况定制合适的尺寸) |
找平机构 | 全自动三点式微力找平 |
设备电压 | AC 220V 50HZ |
设备气源要求 | 正压大于 0.5Mpa，负压大于 55KPa |
设备最大功率 | 6.5KW |
曝光灯波长 | 365nm（可定制 365/405/420/435nm） |
曝光灯最大光功率 | 40mW/平方厘米 |
曝光灯平行半角 | 1.5 度 |
曝光灯均匀性 | >= 97% |
曝光灯光偏角 | <=0.5 度 |
曝光方式 | 接触式/接近式 |
分辨率 | 接触式 2.0um，接近式曝光间隙 20um（分辨率 3.0um） |
视觉识别精度 | 0.1um |
设备 NG 率 | 不大于 5% |
升降平台重复精度 | ±0.5um |
UVW 平台重复精度 | ±0.5um |
设备尺寸 | 长 X 宽 X 高= 1900mm X 1283mm X 2252mm（不带报警灯 2100mm， 拆掉 FFU 和报警灯 1990mm） |
设备重量 | 1020Kg |
设备 NG 率
在满足以下条件后，设备最终 NG 率不超过 5%。
硅片翘曲程度 | 6 寸硅片平放单边翘起不超过 0.5mm |
硅片厚度范围 | 0.1mm 到 1mm（超过这个范围理论上没问题，只是没有验证过） |
硅片厚度公差范 围 | ±10um |
硅片上的凸起 | 不超过曝光间隙+30um 。（过高的凸起会触发菲林保护机制导致 NG) |
硅片破损 | 往圆心方向不超过 3mm，单个破损长度不超过 25mm，保证在料盒里 面任意摆放不会坠落 |
Mark 点残缺率 | mark 点残缺不超过 10%不会影响精度，残缺率不超过 25%会影响精度但 是不 NG |
Mark 点视觉效果 | 尽量做到一致 |
设备使用环境 | 必须在恒温车间使用，温度变化控制在正负 3 度以内。 |
硅片存放 | 存放要求尽量恒温恒湿避免光线，错误的存放方式会导致光刻胶变粘稠 或者光刻胶提前曝光 |
其他常见注意事 项 | 不同批次不同工艺硅片不能混装。对于光学敏感的硅片一旦拿出来尽量 不停机做完，避免出现放久了光学特性改变的情况 |
设备入厂准备
编 号 | 名称 | 规格 |
1 | 供电 | 220V 交流 50Hz（必须良好接地） ，6.5KW 功率 |
2 | 正压气源 | 正压大于 0.5Mpa,流量大于 30L/min ，6mm 直径的 PU 气管 |
3 | 负压气源 | 负压大于 65KPa，流量大于 250L/min ，10mm 直径的 PU 气管 |
4 | 地面强度 | 大于 750Kgf/㎡（由于设备重量分配不均匀，最重的区域会达到 750Kgf/ ㎡） |
5 | 安装空间 | 长 X 宽 X 高= 3.3 米 X 2.2 米 X 2.3 米（设备门打开后的占地面积，走 道留多宽由使用方自行决定） |
6 | 网络 | 最好提供无线网，实在不行提供有线网 。方便设备调试和售后 |
设备清单
编 号 | 名称 | 数量 | 备注 |
1 | 设备主体 | 1 台 | |
2 | 冷水机 | 1 台 | 特域 CW5200TI |
3 | 专用花篮 | 5 个 | |
4 | 硅胶真空吸头 | 2 个 | |
5 | 光刻专用光源 | 2 个 | 6 寸高性能平行光源 |
保养消耗品
编 号 |
名称 |
数量 |
备注 |
1 |
丝杆导轨润滑油 |
80g | |
2 |
缓冲棉 |
1 板 | 耗材，一板 500 个，1 年用 50 个，一板的保质期 2 年 |
3 |
真空过滤器 |
15 个 | 40 万片或者半年换一次 |
4 |
空气过滤器滤芯 |
1 个 | 根据客户自己要求更换 |
硅片和掩膜版上 Mark 点设计
1 、 Mark 点间距最小不能小余 90mm。
2、Mark 点尽量相对硅片中心对称，保证硅片围绕中心旋转 180 度仍然是一样图 案 。如果实在不能对称，那就偏心要超过 10mm 以上。
验收标准
1 、 速度验收 ：成品完整无瑕疵硅片，曝光时间不超过 11 秒 ，曝光能量不超过 350mJ，连续运行 1 小时，双工位全开的情况下不考虑换料停机和换型停机 等正常停机情况下产量不小于 200 片，单工位的情况下产量不低于 100 片。
2 、 精度验收：10 张同型号硅片，靶标清晰无瑕疵，做套刻曝光，不考虑涨缩变 形等误差的情况下，套刻均分误差控制在±0.5um 以内。测量设备的精度要求 控制到 0.1um 以内。
3 、 曝光灯验收：打到最大功率，用林上 LS125 紫外线测试仪测量最大光功率不 低于 40mw/cm² 。使用小孔成像工具测量平行半角不超过 1.5 度 。均匀性不 低于 97% ，计算方法如下 ：测量 6 寸范围内的 25 个点，均匀性 = 1 -（最大
硅片和掩膜版上 Mark 点设计
1 、 Mark 点间距最小不能小余 90mm。
2、Mark 点尽量相对硅片中心对称，保证硅片围绕中心旋转 180 度仍然是一样图 案 。如果实在不能对称，那就偏心要超过 10mm 以上。
验收标准
1 、 速度验收 ：成品完整无瑕疵硅片，曝光时间不超过 11 秒 ，曝光能量不超过 350mJ，连续运行 1 小时，双工位全开的情况下不考虑换料停机和换型停机 等正常停机情况下产量不小于 200 片，单工位的情况下产量不低于 100 片。
2 、 精度验收：10 张同型号硅片，靶标清晰无瑕疵，做套刻曝光，不考虑涨缩变 形等误差的情况下，套刻均分误差控制在±0.5um 以内。测量设备的精度要求 控制到 0.1um 以内。
3 、 曝光灯验收：打到最大功率，用林上 LS125 紫外线测试仪测量最大光功率不 低于 40mw/cm² 。使用小孔成像工具测量平行半角不超过 1.5 度 。均匀性不 低于 97% ，计算方法如下 ：测量 6 寸范围内的 25 个点，均匀性 = 1 -（最大值-最小值）/（最大值+最小值），均匀性不低于 97%。或者不均匀度 = （最 大值-最小值）/（ 2X 平均值），不均匀度不大于 3% 。测量点位图如下图
1 所 示
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