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全自动双面一次光刻机

产品描述:

适用于,双面TVS、双面ESD器件、各类双面光刻产品的一次曝光

应用领域:

广泛应用于半导体、封装、LED、分立器件、5G通讯、新型光学器件、MEMS、FPC、化合物半导体、基板、功率器件等行业。在这些领域中,它发挥着制造高精度、高复杂度电路图形的重要作用。

设备主要参数

设备型号

MA-I-D200

工作台模式

单工位曝光

平均速度

130 片/小时(曝光时间不高于 5 秒的速度)

上料重复精度

±0.2mm

晶圆尺寸范围

4-6 寸(根据客户情况定制合适的尺寸)

找平机构

全自动三点式微力找平

设备电压

AC   220V 50HZ

设备气源要求

正压大于 0.5Mpa,负压大于 55KPa

设备最大功率

5.5KW

曝光灯波长

365nm

曝光灯最大光功率

40mW/cm²

曝光方式

接触式

分辨率

3.0um

视觉识别精度

1um

双面对位精度

±5um

设备 NG 率

不大于 0.5%

升降平台重复精度

±0.25um

设备尺寸

X 宽 X 高= 1900mm X 1283mm X 2252mm(不带报警灯 2100mm)

设备重量

800Kg

材料要求

    

硅片翘曲程度

硅片平放单边翘起不超过 0.3mm

硅片厚度范围

0.1mm 到 1mm(超过这个范围需要定制)

硅片厚度公差范 

±10um

硅片上的凸起

不超过曝光间隙+30um 。(过高的凸起会触发菲林保护机制导致 NG)

硅片破损

往圆心方向不超过 2mm,单个破损长度不超过 25mm,保证在料盒里 面任意摆放不会坠落

设备使用环境

尽量在恒温车间使用,温度过高会导致硅片黏在菲林上从而出现 NG

硅片存放

存放要求尽量恒温恒湿避免光线,错误的存放方式会导致光刻胶变粘稠 或者光刻胶提前曝光

其他常见注意事 

不同批次不同工艺硅片不能混装。对于光学敏感的硅片一旦拿出来尽量 不停机做完,避免出现放久了光学特性改变的情况

菲林要求

必须使用玻璃菲林,菲林图案居中设计,误差不超过±1mm

设备入厂准备

 

名称

规格

1

供电

220V 交流 50Hz(必须良好接地 3.5KW 功率

2

正压气源

正压大于 0.5Mpa,流量大于 30L/min 6mm 气管

3

负压气源

负压大于 55KPa,流量大于 100L/min 10mm 气管

4

地面强度

大于 750Kgf/㎡(由于设备重量分配不均匀,最重的区域会达到 750Kgf/ ㎡)

5

安装空间

X 宽 X 高= 3.0 米  X 2.2 米  X 2.3 米(设备门打开后的占地面积,走 道留多宽由使用方自行决定)

6

网络

最好提供无线网,实在不行提供有线网 。方便设备调试和售后

设备清单

 

 

名称

 

数量

 

备注

 

1

 

设备主体

 

1 


 

3

专用花篮

 

5 个


 

4

 

硅胶真空吸头

 

2 个


保养消耗品

 

 

名称

 

数量

 

备注

 

1

 

丝杆导轨润滑油

 

80g


 

2

 

缓冲硅胶垫

 

1 板

耗材,一板 500 个,1 年用 50 个,一板的保质期 2 年

 

3

 

真空过滤器

 

10 个

40 万片或者半年换一次


4

 

空气过滤器滤芯

 

1 个

根据客户自己要求更换


列表

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