产品描述:
设备型号:MA-I-S200,工作台模式:单工位曝光。
应用领域:
广泛应用于半导体、封装、LED、分立器件、5G通讯、新型光学器件、MEMS、FPC、化合物半导体、基板、功率器件等行业。在这些领域中,它发挥着制造高精度、高复杂度电路图形的重要作用。
1 | 平均速度 | 400片/小时(曝光时间不高于3.0秒的速度) |
2 | 上料重复精度 | ±0.15mm |
3 | 晶圆尺寸范围 | 4-6寸(根据客户情况定制合适的尺寸) |
4 | 找平机构 | 全自动三点式微力找平 |
5 | 设备电压 | AC 220V 50HZ |
6 | 设备气源要求 | 正压大于05Mpa,负压大于55KPa |
7 | 设备最大功率 | 3.5KW |
8 | 曝光灯波长 | 365nm(可定制365/405/420/435nm) |
9 | 曝光灯最大光功率 | 40mW/cm2 |
10 | 曝光灯平行半角 | 1.5度 |
11 | 曝光灯均匀性 | 97%的平行光 |
12 | 曝光方式 | 接触式/接近式 |
13 | 分辨率 | 接触式1.0um,接近式3.0um(正胶厚度1um以内,曝光间隙5um) |
14 | 视觉识别精度 | 5um |
15 | 设备NG率 | 不大于0.1% |
16 | 升降平台重复精度 | ±0.25um |
17 | 设备尺寸 | 长×宽×高=1588mm×1283mm×2252mm(不带报警灯2000mm) |
18 | 设备重量 | 700Kg |