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全自动双面对准光刻机简易版

产品描述:
设备型号:MA-400C,工作台模式:单工位曝光。

应用领域:

广泛应用于半导体、封装、LED、分立器件、5G通讯、新型光学器件、MEMS、FPC、化合物半导体、基板、功率器件等行业。在这些领域中,它发挥着制造高精度、高复杂度电路图形的重要作用。

1

运行速度

正面对准150片/h(±1um精度,3秒曝光);

背面对准100片/h(±2um精度,3秒曝光)

2

对准精度

正面±1um,背面对准±2um

3

晶圆尺寸范围

2-8寸(根据客户情况定制合适的尺寸,标准只有一个尺寸)

4

光刻版尺寸

4-9寸(根据客户情况定制合适的尺寸,标准只有一个尺寸)

5

找平机构

电动三点式微力找平

6

晶圆片厚补偿

三点气测(非接触式测量,精度±2um),电动楔形补偿

7

设备电压

AC 220V 50HZ

8

设备气源要求

正压大于0.35Mpa,负压大于55KPa

9

设备最大功率

6.0KW

10

曝光灯波长

365-405-435nm

11

曝光灯最大光功率

40mW/平方厘米

12

曝光灯平行半角

2度

13

曝光灯均匀性

>= 97%(8寸95%)

14

曝光灯光偏角

<=0.5度

15

曝光方式

接触式/接近式

16

找平精度

±2um

17

分辨率

接触式1.0um,接近式3.0um(正胶厚度1um以内,曝光间隙5um)

18

视觉识别精度

0.2um

19

相机最小间距

35mm

20

设备NG率

不大于0.5%

21

升降平台重复精度

±1um

22

碎片率

低于十万分之一

23

UVW平台重复精度

±0.5um

24

机械手上料精度

±100um

25

设备内温度波动

±0.2℃

26

平均无故障时间

连续运行144小时故障不超过1小时

27

设备尺寸

长X宽X高= 1959mmX 1300mmX 2252mm

(不带报警灯2100mm,拆掉FFU和报警灯1990mm)

28

设备重量

950Kg


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